N, NK, MJE, CEP
На странице:
Сортировка:
IGBT, Icp=200A, Vce(sat)=2,3V, Pd=25W, V(br)ceo=300V
GBT 30F124 — это высоковольтный и сильноточный.....
200 р. за 1 шт.
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В 85 А 3 Вт
Корпус SO-8.....
80 р. за 1 шт.
Марка транзистора: AO4614B (АО4614Б )
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: NP
Пред.....
60 р. за 1 шт.
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощнос.....
220 р. за 1 шт.
Наименование: CEP603AL (N-ch 30V 25A)
Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET).....
170 р. за 1 шт.
Наименование: CEP703AL (N-ch 30V 40A)
Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET).....
130 р. за 1 шт.
Наименование производителя: D209L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощ.....
235 р. за 1 шт.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допуст.....
40 р. за 1 шт.
Технические характеристики FDS4935A
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Серия .....
60 р. за 1 шт.
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120AN Rev. A
IGBT
FGA25N120AN
FGA25N120AN
General De.....
310 р. за 1 шт.
FGL60N100BNTD
Группа: Транзисторы IGBT
Вес: 9.0 грамм
Корпус: 2-21F2C
Производитель:
Параметры / Оп.....
700 р. за 1 шт.
FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт)
Технические характеристики FQPF.....
150 р. за 1 шт.
FAIRCHILD FQPF3N60
Одиночн.N-канальный Транз. MOSFET 600В.4А, корп.TO-220F
ПроизводительFAIRCHILD
.....
100 р. за 1 шт.
Транзистор полевой GT45F122
Производитель:
Toshiba
Технические данные:
TO220F(IGBT; 300V; 200A; 25W;.....
360 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи.....
390 р. за 1 шт.
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. B
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3,
HGT1S20N60C3S
45A, 600V, UF.....
235 р. за 1 шт.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А TO247, Транзистор
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное н.....
320 р. за 1 шт.
MJE13001 =KSE13001 TO92
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном т.....
10 р. за 1 шт.
Группа: Транзисторы биполярные
Вес: 0.4 грамм
Корпус: TO-92
Коэффициент передачи тока - от 8.
Максим.....
20 р. за 1 шт.
MJE13003 TO126
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и р.....
30 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи.....
30 р. за 1 шт.
MJE13007=ST13007(A) TO220
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном.....
45 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
80 р. за 1 шт.
Основные параметры транзистора MJE18004 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает су.....
90 р. за 1 шт.
Основные параметры транзистора MJE18006 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает су.....
170 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи.....
60 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
90 р. за 1 шт.
RFP50N06 Транзистор полевой N-MOS, 60В, 50A
Технические характеристики RFP50N06
Lead Free Status .....
80 р. за 1 шт.
Технические характеристики SGB10N60A
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT.....
80 р. за 1 шт.
SPW47N60C3 Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
Технические характеристики SPW47N60C3
Lead Free Statu.....
1040 р. за 1 шт.
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44
Предельно допустимое напряжение сток-ис.....
90 р. за 1 шт.
SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A
MOSFET транзистор SSS7N60B
Изготовитель: Fa.....
60 р. за 1 шт.
Транзистор ST1803DFH (MD1803DFH) NPN, 1500V, TO-220FH
Производитель STMicroelectronics
Комментарий .....
250 р. за 1 шт.
Транзистор ST1803DHI Транзистор биполярный большой мощности
Основные характеристики
Производитель: .....
160 р. за 1 шт.
Технические характеристики ST2310DHI
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Tran.....
240 р. за 1 шт.
STF20NM60D MOSFET transistor datasheet. Parameters and characteristics.
Type Designator: STF20NM60D.....
110 р. за 1 шт.
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
Type Designator: STF20NM60FP
Type of.....
235 р. за 1 шт.
STP10NK60ZFP, Mosfet SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10 А, TO-220FP
Технические параметры
Стру.....
100 р. за 1 шт.
Технические характеристики STP10NK80ZFP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
С.....
260 р. за 1 шт.
ТРАНЗИСТОР STP11NB40 TO220.....
130 р. за 1 шт.
STP14NK60ZFP N-channel 600v - 0.45? - 13.5a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
Техн.....
250 р. за 1 шт.
Технические характеристики STP55NF06STP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
С.....
80 р. за 1 шт.
STP60NF06 N-канальный 60В, 60А, mosfet
Технические характеристики STP60NF06
Rds On (Max) @ Id, Vgs.....
70 р. за 1 шт.
STP6NK60ZFP PBF TO-220FP
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток.....
70 р. за 1 шт.
STP6NK90ZFP TO220
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В .....
200 р. за 1 шт.
STP9NK90ZFP PBF TO-220FP
Технические параметры
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток .....
140 р. за 1 шт.