Транзисторы Россия
На странице:
Сортировка:
Характеристики транзистора ГТ328Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
30 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ329Б:
ГТ329Б
Транзисторы ГТ329Б германиевые планарные структуры n-.....
35 р. за 1 шт.
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффиц.....
40 р. за 1 шт.
ГТ403Б
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для приме.....
35 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ703Б:
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усил.....
35 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора ГТ806Д
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение кол.....
95 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ905А:
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные с.....
110 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ906А:
ГТ906А
Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные с.....
125 р. за 1 шт.
Полевой транзистор КП103.....
35 р. за 1 шт.
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при.....
150 р. за 1 шт.
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при.....
35 р. за 1 шт.
КП306А
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами,.....
150 р. за 1 шт.
КП313Б
Транзисторы КП313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и канало.....
50 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КП809А-2:
КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиа.....
160 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КП902А:
КП902А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолирован.....
250 р. за 1 шт.
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ104А
Обозначение: Параметр
.....
20 р. за 1 шт.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс).....
30 р. за 1 шт.
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется п.....
30 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ301Е:
КТ301Е
Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p.....
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ306А:
КТ306А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ.....
30 р. за 1 шт.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс.....
20 р. за 1 шт.
КТ3107 — тип кремниевого биполярного транзистора, p-n-p проводимости, усилительный высокочастотный м.....
10 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ3109А:
КТ3109А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру.....
20 р. за 1 шт.
Транзистор: кт3117а(1) кт3117б
Структура n-p-n n-p-n
Pк max 0,3 0,3 Вт
Uкб.....
40 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ3126А:
КТ3126А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру.....
10 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ3127А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напр.....
30 р. за 1 шт.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс).....
40 р. за 1 шт.
КТ3157А (2SA1320) (2SA821), Транзистор P-N-P 250В 0.03А 0.2Вт 60Мгц TO92 (КТ-26)
Описание
Структура.....
20 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ316А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
35 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
20 р. за 1 шт.
КТ343 (кремниевый транзистор, p-n-p).....
20 р. за 1 шт.
КТ345Б Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные,
Использу.....
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ347А:
КТ347А
Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
35 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ349Б:
КТ349Б
Транзисторы КТ349Б кремниевые эпитаксиально-планарные.....
40 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ350А:
КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный .....
20 р. за 1 шт.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура пол.....
30 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
10 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ372А:
КТ372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ.....
65 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ501К
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
30 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи.....
20 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ503Г:
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение к.....
20 р. за 1 шт.
КТ601А
Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для пр.....
40 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ604АМ:
КТ604АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-.....
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ605АМ:
КТ605АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-.....
50 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ606А:
КТ606А
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
80 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ611БМ:
КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-.....
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ626А:
КТ626А
Транзисторы КТ626А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
20 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
40 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой це.....
30 р. за 1 шт.
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназн.....
20 р. за 1 шт.
КТ805АМ,БМ,ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28)
Описание
Структура .....
50 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ807Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
35 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ8136А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напр.....
30 р. за 1 шт.
КТ814Г (BD140), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура.....
35 р. за 1 шт.
КТ816Г (BD238), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура.....
40 р. за 1 шт.
КТ817Г (BD237), Транзистор N-P-N 100В 3А 25Вт 3Мгц TO126
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при.....
70 р. за 1 шт.
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Мак.....
640 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
50 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ827А:
КТ827А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные с.....
550 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ835А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
30 р. за 1 шт.
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Макси.....
90 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ844А:
КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
110 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ848А:
КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры.....
555 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ852Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
35 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ855А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
25 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ857А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
40 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ858А:
КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный .....
70 р. за 1 шт.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс).....
50 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ903Б:
КТ903Б
Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры.....
50 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ9115А:
КТ9115А
Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планар.....
35 р. за 1 шт.
КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
П.....
50 р. за 1 шт.
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназн.....
160 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ940А:
КТ940А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n .....
25 р. за 1 шт.
Транзисторы КТ943 - кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус плас.....
30 р. за 1 шт.
КТ969А, Транзистор NPN 250В 0.1А 6Вт [TO126]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б пр.....
10 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ973А:
КТ973А
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
30 р. за 1 шт.
МП21Е
Транзисторы МП21Е германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предн.....
20 р. за 1 шт.
П214А
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен.....
30 р. за 1 шт.
П214В
Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен.....
30 р. за 1 шт.
П214Г
Транзисторы П214Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен.....
30 р. за 1 шт.
П215
Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен.....
30 р. за 1 шт.
П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен.....
30 р. за 1 шт.
П217Г
Транзисторы П217Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен.....
30 р. за 1 шт.
Транзистор п601аи p-n-p, 30в, 1.5А, 0.5Вт, h21э 40…100 , 20МГц, Тmax-50…+60 биполярный, германий.
Д.....
50 р. за 1 шт.
П605
Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил.....
30 р. за 1 шт.
П607
Транзисторы П607 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил.....
30 р. за 1 шт.
П608
Транзисторы П608 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил.....
30 р. за 1 шт.
П701
Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
П.....
30 р. за 1 шт.