Ничего не куплено!
Звоните нам +7 (908) 173-46-98
Пишите: makspuzanov@yandex.ru
Интернет-магазин радиодеталей и комплектующих. Доставка по всей России.
Корзина
Товаров: 0 (0 р.)Транзисторы Россия
На странице:
Сортировка:
Характеристики транзистора ГТ328Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
16 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ329Б:
ГТ329Б
Транзисторы ГТ329Б германиевые планарные структуры n-.....
19 р. за 1 шт.
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффиц.....
22 р. за 1 шт.
ГТ403Б
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для приме.....
19 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ703Б:
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усил.....
19 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора ГТ806В
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение кол.....
43 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора ГТ806Д
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение кол.....
52 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ905А:
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные с.....
60 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ906А:
ГТ906А
Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные с.....
69 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КП301Б:
КП301Б
Транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изо.....
44 р. за 1 шт.
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при.....
82 р. за 1 шт.
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при.....
19 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КП809А-2:
КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиа.....
86 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КП902А:
КП902А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолирован.....
136 р. за 1 шт.
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ104А
Обозначение: Параметр
.....
10 р. за 1 шт.
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20
Мак.....
15 р. за 1 шт.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс).....
15 р. за 1 шт.
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется п.....
15 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ301Е:
КТ301Е
Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p.....
11 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ306А:
КТ306А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ.....
15 р. за 1 шт.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс.....
9 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ3109А:
КТ3109А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру.....
11 р. за 1 шт.
Транзистор: кт3117а(1) кт3117б
Структура n-p-n n-p-n
Pк max 0,3 0,3 Вт
Uкб.....
22 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ3126А:
КТ3126А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру.....
6 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ3127А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напр.....
15 р. за 1 шт.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс).....
22 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
5 р. за 1 шт.
КТ3157А (2SA1320) (2SA821), Транзистор P-N-P 250В 0.03А 0.2Вт 60Мгц TO92 (КТ-26)
Описание
Структура.....
10 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ316А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
19 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
11 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ339АМ:
КТ339АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру.....
5 р. за 1 шт.
КТ345Б Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные,
Использу.....
11 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ347А:
КТ347А
Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
19 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ349Б:
КТ349Б
Транзисторы КТ349Б кремниевые эпитаксиально-планарные.....
22 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ350А:
КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный .....
11 р. за 1 шт.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура пол.....
11 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
5 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ372А:
КТ372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ.....
36 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ501К
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
16 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи.....
9 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ503Г:
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение к.....
10 р. за 1 шт.
КТ601А
Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для пр.....
22 р. за 1 шт.
Транзисторы 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, .....
28 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ604АМ:
КТ604АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-.....
9 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ605АМ:
КТ605АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-.....
27 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ606А:
КТ606А
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
43 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ611БМ:
КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-.....
11 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ626А:
КТ626А
Транзисторы КТ626А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
9 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
22 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ704А:
КТ704А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n .....
43 р. за 1 шт.
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназн.....
11 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ807Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
19 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ8136А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напр.....
17 р. за 1 шт.
КТ814Г (BD140), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура.....
20 р. за 1 шт.
КТ815Г (BD139), Транзистор NPN, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура.....
29 р. за 1 шт.
КТ816Г (BD238), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура.....
22 р. за 1 шт.
КТ817Г (BD237), Транзистор N-P-N 100В 3А 25Вт 3Мгц TO126
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при.....
37 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ818Г:
КТ818Г
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные ст.....
72 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ819Г:
КТ819Г
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные ст.....
58 р. за 1 шт.
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Мак.....
568 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
28 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ827А:
КТ827А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные с.....
428 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ835А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
15 р. за 1 шт.
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Макси.....
49 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ844А:
КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
60 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ848А:
КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры.....
304 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ852Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
19 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ854А:
КТ854А
Транзисторы КТ854А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
41 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ855А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
14 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ857А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря.....
22 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ858А:
КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный .....
38 р. за 1 шт.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс).....
28 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ898А-1:
КТ898А-1
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-.....
159 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ903Б:
КТ903Б
Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры.....
27 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ9115А:
КТ9115А
Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планар.....
19 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи .....
135 р. за 1 шт.
КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
П.....
28 р. за 1 шт.
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназн.....
88 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ940А:
КТ940А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n .....
14 р. за 1 шт.
Транзисторы КТ943 - кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус плас.....
17 р. за 1 шт.
КТ969А, Транзистор NPN 250В 0.1А 6Вт [TO126]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б пр.....
6 р. за 1 шт.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В.....
24 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ973А:
КТ973А
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные.....
15 р. за 1 шт.
МП21Е
Транзисторы МП21Е германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предн.....
11 р. за 1 шт.
Основные технические параметры П210Ш:
Транзисторы П210Ш германиевые сплавные структуры p-n-p универ.....
212 р. за 1 шт.
Основные технические параметры П213Б:
П213Б
Транзисторы П213Б германиевые сплавные структуры p-n-p .....
16 р. за 1 шт.
Транзистор п601аи p-n-p, 30в, 1.5А, 0.5Вт, h21э 40…100 , 20МГц, Тmax-50…+60 биполярный, германий.
Д.....
27 р. за 1 шт.
Показано с 1 по 89 из 89 (всего 1 страниц)
Перейти к мобильной / полной версии
Города и их области в которые регулярно происходят отправки:
- Абакан
- Архангельск
- Астрахань
- Барнаул
- Белгород
- Бийск
- Благовещенск
- Братск
- Брянск
- Великий Новгород
- Владивосток
- Владимир
- Волгоград
- Вологда
- Воронеж
- Горный Алтай
- Екатеринбург
- Иваново
- Ижевск
- Излучинск
- Иркутск
- Йошкар-Ола
- Казань
- Калининград
- Калуга
- Кемерово
- Киров
- Костромa
- Краснодар
- Красноярск
- Курган
- Курск
- Ленинск-Кузнецкий
- Липецк
- Магнитогорск
- Мегион
- Миасс
- Москва
- Набережные Челны
- Находка
- Нижневартовск
- Нижний Новгород
- Нижний Тагил
- Новокузнецк
- Новороссийск
- Новосибирск
- Норильск
- Омск
- Орёл
- Оренбург
- Пенза
- Пермь
- Петрозаводск
- Республика Крым
- Ростов
- Рязань
- Самара
- Санкт-Петербург
- Саранск
- Саратов
- Смоленск
- Сочи
- Ставрополь
- Старый Оскол
- Стерлитамак
- Сургут
- Сыктывкар
- Тамбов
- Тверь
- Тольятти
- Томск
- Тула
- Тюмень
- Улан-Удэ
- Ульяновск
- Уссурийск
- Уфа
- Хабаровск
- Чебоксары
- Челябинск
- Чита
- Южно-Сахалинск
- Якутск
- Ярославль