N, NK, MJE, CEP
IGBT, Icp=200A, Vce(sat)=2,3V, Pd=25W, V(br)ceo=300V
GBT 30F124 — это высоковольтный и сильноточный..
200 р.
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В 85 А 3 Вт
Корпус SO-8..
80 р.
Марка транзистора: AO4614B (АО4614Б )
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: NP
Пред..
60 р.
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощнос..
220 р.
Наименование: CEP603AL (N-ch 30V 25A)
Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET)..
170 р.
Наименование: CEP703AL (N-ch 30V 40A)
Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET)..
130 р.
Наименование производителя: D209L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощ..
235 р.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допуст..
40 р.
Технические характеристики FDS4935A
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Серия ..
60 р.
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120AN Rev. A
IGBT
FGA25N120AN
FGA25N120AN
General De..
310 р.
FGL60N100BNTD
Группа: Транзисторы IGBT
Вес: 9.0 грамм
Корпус: 2-21F2C
Производитель:
Параметры / Оп..
700 р.
FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт)
Технические характеристики FQPF..
150 р.
FAIRCHILD FQPF3N60
Одиночн.N-канальный Транз. MOSFET 600В.4А, корп.TO-220F
ПроизводительFAIRCHILD
..
100 р.
Транзистор полевой GT45F122
Производитель:
Toshiba
Технические данные:
TO220F(IGBT; 300V; 200A; 25W;..
360 р.
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
390 р.
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. B
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3,
HGT1S20N60C3S
45A, 600V, UF..
235 р.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А TO247, Транзистор
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное н..
320 р.
MJE13001 =KSE13001 TO92
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном т..
10 р.
Группа: Транзисторы биполярные
Вес: 0.4 грамм
Корпус: TO-92
Коэффициент передачи тока - от 8.
Максим..
20 р.
MJE13003 TO126
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и р..
30 р.
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
30 р.
MJE13007=ST13007(A) TO220
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном..
45 р.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
80 р.
Основные параметры транзистора MJE18004 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает су..
90 р.
Основные параметры транзистора MJE18006 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает су..
170 р.
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
60 р.
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
90 р.
RFP50N06 Транзистор полевой N-MOS, 60В, 50A
Технические характеристики RFP50N06
Lead Free Status ..
80 р.
Технические характеристики SGB10N60A
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT..
80 р.
SGH80N60UFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGH80N6..
710 р.
SPW47N60C3 Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
Технические характеристики SPW47N60C3
Lead Free Statu..
1040 р.
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44
Предельно допустимое напряжение сток-ис..
90 р.
SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A
MOSFET транзистор SSS7N60B
Изготовитель: Fa..
60 р.
Транзистор ST1803DFH (MD1803DFH) NPN, 1500V, TO-220FH
Производитель STMicroelectronics
Комментарий ..
250 р.
Транзистор ST1803DHI Транзистор биполярный большой мощности
Основные характеристики
Производитель: ..
160 р.
Технические характеристики ST2310DHI
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Tran..
240 р.
STF20NM60D MOSFET transistor datasheet. Parameters and characteristics.
Type Designator: STF20NM60D..
110 р.
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
Type Designator: STF20NM60FP
Type of..
235 р.
STP10NK60ZFP, Mosfet SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10 А, TO-220FP
Технические параметры
Стру..
100 р.
Технические характеристики STP10NK80ZFP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
С..
260 р.
STP14NK60ZFP N-channel 600v - 0.45? - 13.5a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
Техн..
250 р.
Технические характеристики STP55NF06STP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
С..
80 р.
STP60NF06 N-канальный 60В, 60А, mosfet
Технические характеристики STP60NF06
Rds On (Max) @ Id, Vgs..
70 р.
STP6NK60ZFP PBF TO-220FP
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток..
70 р.
STP6NK90ZFP TO220
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ..
200 р.
STP9NK90ZFP PBF TO-220FP
Технические параметры
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток ..
140 р.
Показано с 1 по 47 из 47 (всего 1 страниц)