Транзисторы Россия
Характеристики транзистора ГТ328Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
30 р.
Основные технические параметры ГТ329Б:
ГТ329Б
Транзисторы ГТ329Б германиевые планарные структуры n-..
35 р.
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффиц..
40 р.
ГТ403Б
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для приме..
35 р.
Основные технические параметры ГТ703Б:
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усил..
35 р.
Основные технические параметры ГТ905А:
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные с..
110 р.
Основные технические параметры ГТ906А:
ГТ906А
Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные с..
125 р.
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при..
150 р.
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при..
35 р.
КП306А
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами,..
150 р.
КП313Б
Транзисторы КП313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и канало..
50 р.
Основные технические параметры КП809А-2:
КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиа..
160 р.
Основные технические параметры КП902А:
КП902А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолирован..
250 р.
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ104А
Обозначение: Параметр
..
20 р.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
30 р.
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется п..
30 р.
Основные технические параметры КТ301Е:
КТ301Е
Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p..
20 р.
Основные технические параметры КТ306А:
КТ306А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
30 р.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс..
20 р.
КТ3107 — тип кремниевого биполярного транзистора, p-n-p проводимости, усилительный высокочастотный м..
10 р.
Основные технические параметры КТ3109А:
КТ3109А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
20 р.
Транзистор: кт3117а(1) кт3117б
Структура n-p-n n-p-n
Pк max 0,3 0,3 Вт
Uкб..
40 р.
Основные технические параметры КТ3126А:
КТ3126А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
10 р.
Характеристики транзистора КТ3127А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напр..
30 р.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
40 р.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
5 р.
КТ3157А (2SA1320) (2SA821), Транзистор P-N-P 250В 0.03А 0.2Вт 60Мгц TO92 (КТ-26)
Описание
Структура..
20 р.
Характеристики транзистора КТ316А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
35 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
20 р.
КТ345Б Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные,
Использу..
20 р.
Основные технические параметры КТ347А:
КТ347А
Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные..
35 р.
Основные технические параметры КТ349Б:
КТ349Б
Транзисторы КТ349Б кремниевые эпитаксиально-планарные..
40 р.
Основные технические параметры КТ350А:
КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
20 р.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура пол..
30 р.
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
10 р.
Основные технические параметры КТ372А:
КТ372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
65 р.
Характеристики транзистора КТ501К
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
30 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
20 р.
Характеристики транзистора КТ503Г:
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение к..
20 р.
КТ601А
Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для пр..
40 р.
Основные технические параметры КТ604АМ:
КТ604АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
20 р.
Основные технические параметры КТ605АМ:
КТ605АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
50 р.
Основные технические параметры КТ606А:
КТ606А
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные..
80 р.
Основные технические параметры КТ611БМ:
КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
20 р.
Основные технические параметры КТ626А:
КТ626А
Транзисторы КТ626А кремниевые эпитаксиально-планарные..
20 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
40 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой це..
30 р.
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
20 р.
КТ805АМ,БМ,ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28)
Описание
Структура ..
50 р.
Характеристики транзистора КТ807Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
35 р.
Характеристики транзистора КТ8136А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напр..
30 р.
КТ817Г (BD237), Транзистор N-P-N 100В 3А 25Вт 3Мгц TO126
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при..
70 р.
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Мак..
640 р.
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
50 р.
Характеристики транзистора КТ835А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
30 р.
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Макси..
90 р.
Основные технические параметры КТ844А:
КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные..
110 р.
Основные технические параметры КТ848А:
КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры..
555 р.
Характеристики транзистора КТ852Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
35 р.
Характеристики транзистора КТ855А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
25 р.
Характеристики транзистора КТ857А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
40 р.
Основные технические параметры КТ858А:
КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
70 р.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
50 р.
Основные технические параметры КТ903Б:
КТ903Б
Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры..
50 р.
Основные технические параметры КТ9115А:
КТ9115А
Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планар..
35 р.
КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
П..
50 р.
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
160 р.
Основные технические параметры КТ940А:
КТ940А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n ..
25 р.
Транзисторы КТ943 - кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус плас..
30 р.
КТ969А, Транзистор NPN 250В 0.1А 6Вт [TO126]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б пр..
10 р.
Основные технические параметры КТ973А:
КТ973А
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные..
30 р.
МП21Е
Транзисторы МП21Е германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предн..
20 р.
П214А
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
30 р.
П214В
Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
30 р.
П214Г
Транзисторы П214Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
30 р.
П215
Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен..
30 р.
П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен..
30 р.
П217Г
Транзисторы П217Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
30 р.
П605
Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
30 р.
П607
Транзисторы П607 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
30 р.
П608
Транзисторы П608 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
30 р.
П701
Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
П..
30 р.
Показано с 1 по 84 из 84 (всего 1 страниц)