Транзистор IRF9530

Транзистор IRF9530

IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100V, 12A, 75W

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 75
Крутизна характеристики S,мА/В 3800
Корпус TO220AB
Пороговое напряжение на затворе -4

Технические характеристики IRF9530

Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 7.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 12A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 860pF @ 25V
Power - Max 88W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB

Свойства
Бренд	Samsung
Качество	Хорошее (HQ)
Модель	IRF9530

Написать отзыв

Зарегистрируйся, оставляй отзывы о товаре, зарабатывай бонусы!

Ваше Имя:


Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оценка: Плохо           Хорошо