IRF
IRF1010EPBF, Nкан 60В 79 А TO220AB
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение ..
140 р.
IRF1404PBF, N-кан 40В 162А ТО220
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение с..
155 р.
IRF1405PBF, Nкан 55В 133А авто ТО220AB
Описание
Структура N-канал
Производитель International Rect..
155 р.
IRF2805PBF, Nкан 55В 75А авто ТО220AB
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряже..
300 р.
IRF2807 Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
Технические характеристики IRF2807
..
190 р.
IRF3205PBF, Nкан 55В 110А TO220AB
Описание
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси..
120 р.
IRF3710 Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, ..
95 р.
IRF4905PBF, P кан -55В -64А ТО220
Описание
Корпус TO220AB
Технические параметры
Структура P-канал..
160 р.
IRF510 Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
Технические характеристики IRF510
FET Type ..
90 р.
IRF5210 Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
Технические характер..
170 р.
IRF530 Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=..
100 р.
IRF540N Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, ..
90 р.
IRF620 Транзистор полевой N-MOS 200V, 6A, 70W
Технические характеристики IRF620
Lead Free Status ..
100 р.
IRF630 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9A@T=25C, Id=5.7A@T=100C, Rds=0.35 R@Vgs=10V, P=..
70 р.
Транзистор полевой IRF 630FP
Производитель:
STM
Технические данные:
TO220F(N; 200V; 9A; 30W; 0.4 Ohm..
90 р.
IRF634PBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (250V, 8.1A, 74W, 0.45R, TO220AB)
Технические хара..
100 р.
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
Структура N-канал
Мак..
80 р.
IRF644PBF, Транзистор, N-канал 250В 14А [TO-220AB]
Технические параметры
Структура n-канал
Максима..
100 р.
IRF710 Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А
Технические характеристики IRF710
Lead Free Status..
70 р.
IRF730 Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
N-канальный МОП-транзистор (MOS..
50 р.
IRF7309PBF, 1N/1Pкан 30B -3/4A SO8
Технические параметры
Структура NP-канал
Максимальное напряжение..
100 р.
IRF7319PBF, 1N/1Pкан 30B -4.9/6.5A SO8
Технические параметры
Структура
NP-канал
Максимальное напряж..
80 р.
IRF7343 Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
Структура NP-канал
Максимальное напряжени..
70 р.
Технические характеристики IRF7389
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.3A, 5.3A
Drain to Sour..
70 р.
IRF740 N-канальный полевой транзистор (Vds=400V, Id=10A@T=25C, Id=6.3A@T=100C, Rds=0.55 R@Vgs=10V, P..
80 р.
IRF820 Транзистор полевой N-Канальный 500V 2,5A 50W 3,0R
Технические характеристики IRF820
FET Ty..
90 р.
КП770В, (IRF822)
Технические параметры
Структура n-fet
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50..
160 р.
IRF830 N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=1.5 R, P=100W, -..
100 р.
IRF840 N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=8.0A@T=25C, Id=5.1A@T=100C, Rds=0.85 R, P=125W, ..
150 р.
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100V, 12A, 75W
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исто..
120 р.
IRF9540N P-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=23A@T=25C, Id=16A@T=100C, Rds=0.117 R, P=140W)..
80 р.
IRF9Z24N Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)
Технические характеристики IRF9Z24N
..
60 р.
IRFBC30, Nкан 600В 3.6А TO220
Описание
Структура N-канал
Производитель International Rectifier
Макси..
100 р.
IRFD110 PDIP4 (HD1)
Технические параметры
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В..
80 р.
IRFD123 Транзистор полевой
Полярность N
Каналов,шт 1
VDSS,В 100
RDS(ON) 10 В,мОм 270
ID,А 1.3
PD,Вт..
90 р.
Описание
N-канал 55V 110A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-247AC
Технические параметры
Структура..
210 р.
IRFP23N50LPBF 500v,0,190R,170ns,23A
Описание:
RF транзистор 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSF..
710 р.
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
ехнические характеристики IRFP240
Lea..
260 р.
Технические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный то..
190 р.
Маркировка IRFP32N50K
Описание Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
Функционал Диск..
840 р.
IRFP450 Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
Мощный N-канальный MOSFET транзистор.
Основные пар..
150 р.
IRFP460A Транзистор полевой N-MOS 500V, 20A, 280W
N-канальный МОП ПТ
Uси=500 В; Rси=0.27 Ом; Iс=20 ..
175 р.
IRFP9240, Pкан -200В -12А TO247
Технические параметры
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток..
235 р.
Технические характеристики IRFPS40N50L
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-com..
1240 р.
IRFR024PBF (IRFR024TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 14А [D-PAK]
Технические параметры
Структура n-ка..
80 р.
Маркировка IRFU220B
Производитель Fairchild Semiconductor
Комментарий 200v N-channel Mosfet 4.6A..
100 р.
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 t..
70 р.
IRFZ24N
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
Технические характеристики IRFZ24N
Lead Free Stat..
90 р.
Транзистор IRFZ34N
Технические характеристики
Группа продукции в каталоге: MOSFET транзисторы
..
100 р.
IRFZ44NPBF, Nкан 55В 41А TO220
Описание
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ..
70 р.
RFZ46N Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение ..
100 р.
IRFZ48NPBF, Nкан 55В 64А TO220AB
Описание
Корпус TO220AB
Технические параметры
Структура N-канал
Мак..
120 р.
IRG4BC40F
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
Технические характеристики IRG4BC40F
..
320 р.
IRG4PH50UD
Транзистор IGBT модуль единичный
Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ
Ток коллектора макс..
970 р.
IRGP35B60PD
Транзистор IGBT модуль единичный
Технические характеристики IRGP35B60PD
Power - Max 3..
1340 р.
IRGP4068D IGBT транзистор 600В, 330Вт
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) - 60..
750 р.
IRGP50B60PD1 Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
Структура N-канал+ди..
830 р.
Технические характеристики
Группа продукции в каталоге: IGBT транзисторы
Корпус: TO-247-3
Вес брутт..
1350 р.
IRL2505, N-канал 55В 104А logic TO220AB
Наименование: IRL2505, N-канал 55В 104А logic TO220AB
Группа..
170 р.
Транзистор IRL3705N
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRL3705N with..
180 р.
IRL3803 Транзистор полевой N-MOS 30V, 140A, 200W (Logic-Level)
Структура N-канал
Максимальное напря..
210 р.
Транзистор IRL520
Технические характеристики IRL520
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max..
140 р.
Технические характеристики IRL540N
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Ox..
140 р.
Показано с 1 по 63 из 63 (всего 1 страниц)