BC
BC327-25 TO92
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и ра..
10 р.
BC328-25 TO-92
Технические параметры
Структура
PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и ра..
20 р.
BC337-40, Транзистор NPN 45В 0.8А 0.6Вт [TO-92]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б..
10 р.
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
20 р.
Технические характеристики BC368
Корпус TO-92-3
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип м..
20 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
10 р.
BC547B.112, Транзистор NPN 45В 100мА [TO-92]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б п..
10 р.
BC548B Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V, 0.1A, 0.5W, 300MHz, B=200-450
Структура NPN
Ма..
10 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
10 р.
Технические характеристики BC558A
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transi..
10 р.
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монта..
10 р.
BC817-40, SOT23
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и..
10 р.
BC846B Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
Маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффицие..
20 р.
BC847B, BC847C - маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корп..
20 р.
Транзистор общего назначения SMD NPN (Uce=30V, Ic=0.1A, P=330mW).
Структура NPN
Макс. напр. к-б при ..
30 р.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
20 р.
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе для SMD монта..
20 р.
Показано с 1 по 17 из 17 (всего 1 страниц)