Микросхема К504УН1В мет
| Наличие: | 3 |
|---|---|
| Цена: | 75 р. |
| Цена в бонусных баллах: | 75 |
Количество:
- или -
В закладки
В сравнение
В сравнение
Микросхема К504УН1В мет
Микросхема 504УН1В504УН1В микросхемы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1В представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).
Написать отзыв
Ваше Имя:Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо